HP et Hynix s'unissent autour des memristors pour remplacer la flash

Hewlett Packard a annoncé la signature d'un accord avec Hynix, spécialiste des semi-conducteurs, pour développer et fabriquer les prochaines générations de mémoire flash, connues sous le nom memristors.

Les deux sociétés ont déclaré que pendant les 3 prochaines années, elles vont développer le matériel et les process d'intégration nécessaires à la commercialisation de la ReRAM (Resistive Random Access Memory). Hynix sera en charge de la fabrication des memristors. Cette dernière comprend une résistance avec de la mémoire et sont considérées comme le quatrième composant électrique passif (après condensateur, bobine et résistance), selon le professeur Leon Chua, de l'Université de Californie à Berkeley en 1971. Les laboratoires d'HP ont démontré que ces « mémoires-résistances » pouvaient effectuer des calculs logiques. Avec cette capacité, les memristors peuvent travailler comme un processeur et du stockage. Ils pourront ainsi un jour remplacer ces deux éléments.

« Les memristors ont des capacités de stockage bien plus important que ce que proposent les technologies concurrentes. En adoptant la technologie HP, nous pourrons proposer plus rapidement des produits plus efficient énergétiquement à nos clients », a déclaré SW Park, responsable technologie chez Hynix. La ReRAM a le potentiel de remplacer les mémoires flash Nand embarquées dans les téléphones mobiles et lecteurs MP3. Elle pourrait également être utilisée comme un élément de stockage sous la forme de DRAM ou Solid State Drive (SSD). Par rapport à ce dernier, Selon HP, les memristors requièrent moins d'énergie pour fonctionner et sont plus rapides.