La production à grande échelle de la troisième génération de mémoire flash V-NAND (NAND 3D à 256Gb) griffée Samsung a débuté. Une avancée qui ouvre la voie à la commercialisation de modules de capacité supérieure mais de taille égale à celle de leurs prédécesseurs. Les nouveaux composants fournis par les usines du fabricant Coréen embarquent 48 couches de cellules multiniveau (MLC) de 3 bits, et offrent ainsi 32 Go de capacité de stockage sur une seule puce. Cela revient à un doublement de la densité de stockage de la conventionnelle puce NAND (128 Gb), tout en réalisant une économie d'énergie de 30%, assure Samsung.

Samsung a déclaré vouloir destiner ces puces aux entreprises et aux utilisateurs de systèmes de stockage de données. Il veut également les utiliser pour promouvoir l'adoption des SSD capables de stocker plusieurs To. En Juin, Samsung avait déjà annoncé un SSD de 2 To dans d'un format de 2,5'', à même d'équiper les ordinateurs portables et les PC de bureau.

La semaine dernière, SanDisk et Toshiba ont de leur côté lancé la production des mémoires flash 3D NAND 256 Gbits issues de leur partenariat.