IBM et Infineon viennent de présenter à Kyoto, lors du salon VLSI Symposia consacré aux semi-conducteurs, les derniers résultats de leurs recherches sur la mémoire vive magnétique, la MRAM. Offrant les mêmes caractéristiques de persistance de l'information que les mémoires Flash, la MRAM se distingue par des temps d'accès de l'ordre de la nanoseconde contre des millièmes de seconde pour les premières. Les deux fondeurs estiment que la production de MRAM atteindra le stade industriel en 2005. IBM prévoit de livrer les premiers échantillons aux constructeurs dès 2004. Principaux intéressés : les constructeurs de produits électroniques portables de grande consommation comme les PDA et les téléphones mobiles.