Intel vient d'annoncer la sortie de ses premiers processeurs Xeon bi-c½ur pour la fin 2005, au lieu du premier trimestre 2006. Pour justifier cette accélération de son calendrier, le fondeur explique que ses ingénieurs « ont pris de l'avance ».

Prendre de l'avance, c'est effectivement ce qu'ont fait les ingénieurs d'Intel pour le Xeon MP bi-coeur (nom de code Paxville). En revanche, le procédé utilisé pour avancer le lancement des Xeon DP bi-coeur est plus étonnant : pressé de trouver une solution pour contrer les Opteron bi-c½ur d'AMD, lntel a renoncé à graver, comme prévu, les premiers Xeon DP bi-coeur en 65 nm. Ces puces seront, comme les Xeon MP, gravées en 90 nm.

Les premiers Xeon DP à deux coeurs devaient, initialement, être fondus en utilisant le nouveau processus de gravure à 65 nm d'Intel, à l'instar de Dempsey, le premier Xeon mono c½ur utilisant cette finesse de gravure, toujours prévu pour le premier trimestre prochain. Le choix d'utiliser l'actuel processus en 90nm permet à Intel de gagner du temps mais le constructeur n'a pour l'instant pas détaillé l'impact de la maneuvre sur les caractéristiques thermiques des processeurs. De plus, il n'a pas indiqué si le lancement de Xeon en 90nm pourrait décaler à plus tard celui des versions 65 nm .

Le Xeon MP bi-c½ur (Paxville), utilisera le chipset E8500 d'Intel. Il équipera des serveurs embarquant quatre processeurs au moins. Paxville DP s'appuiera quant à lui sur le chipset E7520 du fondeur. Les deux puces supportent l'hyperthreading et peuvent donc traiter jusqu'à 4 threads en parallèle. Selon Intel, elles devraient fournir des performances supérieures de 60 % (Paxville) et 50% (Paxville DP) aux Xeon mono-coeur actuels.

Dans un communiqué, Intel précise qu'il prévoit que 85 % de ses processeurs pour serveurs embarquent deux c½urs à la fin 2006. Le fondeur indique enfin qu'il respectera son programme de lancement pour les Itanium bi-c½ur, prévus pour la fin 2005.


AMD et IBM visent les 32 nm et 22 nm
AMD et IBM viennent de prolonger leur accord de recherche et développement conjoints signé en janvier 2003. Celui-ci portait initialement sur la gravure en 65 nm et avait déjà été étendu à la gravure en 45 nm. Désormais, les deux fondeurs entendent co-développer des procédés de gravure en 32 et 22 nm. Leur accord court désormais jusqu'en 2011.