Intel se prépare à graver en 0,09 micron

Intel a mis au point une méthode de fabrication permettant la conception de transistors dont la taille des composants est évaluée à 50 nanomètres (soit 50 milliardièmes de mètre). Le fondeur californien prévoit une production industrielle d'ici fin 2003 avec un pas de masque de 0,09 micron (90 nanomètres) - contre 0,13 micron pour l'actuel Pentium 4 - conforme à son tableau de marche. Objectif : produire des processeurs plus rapides, à faible consommation et surtout à moindre coût.

Tout comme IBM - référence en matière de recherche nanotechnologique, Intel associe l'utilisation du cuivre pour la conduction interne à des matériaux isolants à plus faible constante diélectrique que le dioxyde de silicium (low-k). De plus, le californien a mis en oeuvre un procédé (strained silicon) permettant d'étirer la surface utile en ajoutant une couche de silicium enrichi de germanium à une couche de silicium classique. Enfin, les puces seront produites sur des galettes de silicium de 300 mm de diamètre, déjà utilisées pour le Pentium 4.

Malgré le ralentissement des investissements décidé en début d'exercice par Intel, les activités de recherche et de développement dans les nanotechnologies se sont poursuivies. En mars 2001, Intel prévoyait de consacrer 12,5 Md$ sur deux ans au développement de procédés permettant la fabrication de transistors minuscules.