Toshiba progresse vers la gravure en 32 nanomètres

Lors du dernier VSLI Symposium qui a eu lieu à Kyoto du 12 au 14 juin dernier, Toshiba a présenté deux méthodes qui pourraient selon lui rendre possible la gravure des microprocesseurs en 32 nanomètres.

Ce type de gravure est encore soumise à un problème de taille : plus la finesse de gravure augmente, plus la distance entre les circuits se réduit et plus les transferts électriques sont instables.

Pour parer à ce problème, l'une des solutions est de réduire la résistance des transistors. Pour cela, les chercheurs de Toshiba dispersent des particules dopantes en surface entre les électrodes du transistor et le substrat en silicium. Ce qui, sur un transistor opérant à 0,7 volt, a permis d'améliorer la conductivité électrique de 35 % par rapport à un modèle équivalent de fabrication classique. Enfin, pour éviter que les électrons ne se dispersent, Toshiba les canalise en insérant un mélange de silicium et de germanium dans l'électrode.

En couplant ces techniques avec la technologie « Airgap » développée par IBM, Toshiba est bien armé pour graver rapidement ses premiers processeurs à 32 nanomètres.