Intel prévoit d'investir 100 M$ dans Samsung

Intel a signé une lettre d'intention pour investir 100 M$ dans Samsung. But de cette opération : accélérer la production et la mise en vente de mémoires Direct RDRAM (Rambus Dynamic RAM). Cette technologie permettrait, selon son concepteur Rambus, d'atteindre des vitesses de transfert entre la mémoire et le processeur 4 fois supérieures à celles de mémoires SDRAM 100 MHz.

Au total, Intel a investi 1,6 Md$ dans le soutien de la RDRAM : aux

100 M$ de Samsung viennent en effet s'ajouter les 500 M$ dont a bénéficié l'américain Micron (Voir le quotidien LMI du 20/10/98), et le Md$ investi dans le coréen LG Semicon (Voir le quotidien LMI du 25/06/98).

Intel prévoit de sortir en juin le chipset Intel 820 pour le P-III, connu sous le nom de code Camino, qui supportera les mémoires Direct RDRAM.

Rappelons qu'Intel a déjà investi dans Samsung en 1997.