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Intel et Micron donnent 3bits par cellule à la mémoire flash Nand
Les deux entreprises ont annoncé la production d'échantillons de mémoire flash Nand à 3 bits par cellules gravée en 25 nanomètres.
Après les SLC ou les MLC, disposant d'un ou deux bits par cellule, la co-entreprise IMTF a annoncé la production de mémoire TLC, intègrant 3 bits par cellule. Cette dernière est gravée en 25 nanomètres. De capacité allant de 8 Go à 64 Go, ces mémoires s'adressent au dispositif de stockage à destination du grand public, comme les clés USB ou les cartes flash SD (Secure Digital).
Cette puce est plus petite de 20% que les mémoires MLC, elles aussi gravées en 25 nm. La superficie de la matrice est de 131 mm² et elle est conditionnée en cartouche standard TSOP (Thin Smal-Outline Package).
La mise en production complète devrait intervenir d'ici la fin de l'année.
