IBM met au point l'alternative aux mémoires flash

IBM, Qimonda et Macronix travaillent sur le développement d'un matériau censé préparer l'alternative aux mémoires flash actuelles. Une technologie qui devrait surpasser en performances et en encombrement les composants de mémoire flash.

Les semiconducteurs à changement de phase sont, à l'heure actuelle, basés sur des alliages de germanium, d'antimoine et de tellunium (GST). Ils peuvent passer d'un état cristallin à un état amorphe en fonction de la charge électrique à laquelle ils sont soumis. Le matériau mis au point par IBM n'utilise plus que le germanium et l'antimoine. Une association qui offre deux avantages. D'un côté, la température de cristallisation est supérieure de 100°C à celle atteinte avec l'alliage GST, ce qui offre une meilleure capacité de conservation des données. De l'autre, la cristallisation s'effectue 500 fois plus rapidement que dans les mémoires flash actuelles avec moitié moins de puissance électrique. Enfin, les travaux menés par IBM devraient aboutir à des composants d'une taille nettement moindre que celle occupée par les composants actuels. Le prototype présenté ne mesure ainsi que 3 nm (largeur) sur 20 nm (longueur).

IBM n'est pas le seul groupe à espérer mettre au point le successeur des mémoires non volatiles - un marché estimé à plus de 18 Md$. Samsung a ainsi récemment présenté la PRAM, Freescale la MRAM et d'autres fabricants la FeRAM ou autre NRAM.