Après les SSD 850 Pro (MLC/SLC), les 850 Evo seront les premiers périphériques de stockage flash grand public basés sur la technologie V-Nand 3D - mais en TLC ici - inventée par Samsung. Selon le constructeur coréen, ces SSD sont plus rapides, plus endurants et offrent une excellente correction d'erreurs. Les 850 Evo seront proposés en version 128 Go (100 dollars HT), 250 Go (150 dollars HT), 500 Go (270 dollars HT) et 1 To (500 dollars HT). Les lecteurs, disponibles plus tard ce mois-ci, peuvent être connectés aux connecteurs Sata des PC portables et des machines desktop. La grande innovation de la gamme 850 Evo tient à l'usage de la technologie TLC 3D V-Nand qui accélère la vitesse et augmente l'endurance des lecteurs, dépassant les versions précédentes 840 Evo. Sur ces SSD, les couches mémoire flash sont empilées les uns sur les autres pour augmenter la densité, une architecture qui permet de réduire la consommation d'énergie et d'obtenir des débits plus élevés. Comparativement, dans la série Evo 840, les blocs flash sont placés les uns à côté des autres.

« Le SSD 850 Evo a une endurance deux fois plus grande que le 840 Evo », a déclaré Richard Leonarz, directeur marketing senior chez Samsung. L'endurance est mesurée par rapport à la quantité de données écrites sur le SSD. Samsung estime celle de la série 850 Evo à 150 To de données écrites, contre 75 To pour les modèles 840 Evo. En terme de vitesse d'écriture aléatoire, les améliorations sont plus apparentes sur les modèles 120 Go et 250 Go qui ont moins de canaux de transfert de données. Pour ces deux modèles, le benchmark de Samsung donne une vitesse d'écriture aléatoire à 88 000 IOPS (In/Out par seconde), contre 35 000 IOPS pour la version 120 Go du SSD série 840 Evo, et 66 000 IOPS pour la 250 Go. Samsung a amélioré sa technologie de tampon TurboWrite pour accélérer l'écriture des blocs de données sur les SSD. Pour les versions 500 Go et 1 To, la vitesse d'écriture se situe à 90 000 IOPS, soit à peu près au même niveau que pour les versions 840 Evo.

Les vitesses de lecture aléatoires des 850 Evo SSD se situent entre 94 000 et 98 000, dans un ordre de grandeur équivalent aux versions précédentes. En vitesse de lecture séquentielle, la série 850 Evo atteint 540 mégaoctets par seconde et en écriture séquentielle, elle est de 520 mégaoctets par seconde, des valeurs quasi identiques à celles de la série 840 Evo, d'après les spécifications de Samsung. Le constructeur a également résolu certains problèmes de lecture affectant les utilisateurs de disques 840 Evo. « Les nouvelles technologies intégrées aux disques 850 Evo apportent une meilleure correction d'erreurs, laquelle se traduira par une plus grande stabilité en lecture et en vitesse », a encore déclaré Richard Leonarz. « Les premiers disques SSD V-NAND de Samsung étaient réservés à l'entreprise, mais plusieurs produits grand public embarquent désormais la technologie », a ajouté le directeur marketing senior de Samsung.