Alors que l'industrie du semiconducteur s'interroge encore sur la façon dont elle parviendra à aller au-delà de la barrière des 10 nanomètres, deux chercheurs anglais sont parvenus à fabriquer un transistor d'un nanomètre d'épaisseur. Le docteur Kostya Novoselov et le professeur Andre Geim de l'Ecole de physique et d'astronomie de l'Université de Manchester ont publié les résultats de leurs travaux dans la dernière édition du magazine Science. Quatre ans après avoir découvert les propriétés du graphene - extrait du graphite (la simple mine de carbone d'un crayon noir), il peut compter plusieurs milliards d'atomes mais reste plan, présentant donc l'épaisseur d'un atome - le professeur Geim et son équipe ont réussi à démontrer que les règles actuelles de fabrication des semi-conducteurs pouvaient s'appliquer peu ou prou grâce à ce matériau. Le défi : industrialiser la découpe à cette échelle L'industrie des semi-conducteurs sait en effet que d'ici quelques années, elle sera bloquée par les propriétés des matériaux utilisés actuellement : quand la miniaturisation atteindra les 10 nanomètres, les circuits deviendront instables. La possibilité d'obtenir un transistor dix fois plus petit ouvre donc des perspectives intéressantes. Seul problème, découper les matériaux à cette échelle (pour rappel, un cheveu humain fait 100 000 nanomètres d'épaisseur) relève plus de l'art que l'industrie. « Dans nos travaux, avoue le professeur Geim, nous nous sommes appuyés sur la chance pour parvenir à des transistors aussi fins. Malheureusement, il n'existe pas de technologie pour couper les matériaux avec une précision de l'ordre du nanomètre. Nous sommes confrontés au même défi que l'ensemble de l'électronique. Mais au moins, nous disposons maintenant d'un matériau capable de relever un tel défi. »