Fujitsu et Toshiba songent à construire conjointement une unité de production de semi-conducteurs sur tranches de silicium de 300 mm de diamètre. Une décision en ce sens devrait être prise d'ici le printemps.

Grâce à l'utilisation de tranches de silicium de grande taille, les deux sociétés pourraient réaliser des économies de l'ordre de 30 % en produisant deux fois plus de semi-conducteurs par galette qu'avec des tranches de 200 mm de diamètre.

Fujitsu est par ailleurs un partenaire traditionnel d'AMD, auquel il est associé pour la production de mémoires Flash. Des rumeurs persistantes font état d'une fusion à venir des activités de productions des deux compagnies.