Intel a vendu sa division NAND flash à son rival sud-coréen SK Hynix, mais la société présentera néanmoins un SSD NVMe M.2 670P, ainsi qu'un module Optane SATA de nouvelle génération. Le SSD 670P vient succéder au populaire modèle 660P. Comme son prédécesseur, le 670P sera basé sur de la QLC NAND utilisant une nouvelle conception à 144 couches. Le 670P intègre un contrôleur maison compatible PCIe 3.0 (seulement), qui prend en charge le chiffrement Pyrite 2.0. Le TWB de ce SSD est évalué à 150 To pour chaques 512 Go de capacité. Intel a déclaré que les performances étaient à la hausse grâce à une mémoire cache SLC plus dynamique. 

Les QLC stockent quatre bits de données par cellule pour stocker autant de données que possible dans la mémoire NAND. Cela augmente la capacité de la flash, mais tend à réduire les performances. Pour compenser ce dernier point, les fabricants de SSD reconfigurent la capacité inutilisée de la NAND en cache SLC (cellule à un niveau) pour améliorer les performances. 

 

Officiellement, pas encore de support du PCIe 4 pour le SSD 670P... (Crédit Intel)

Compenser la faiblesse de la QLC

Comme sur la plupart des SSD, le cache est dynamique et augmente et diminue en fonction de la capacité disponible. Avec le 670P, Intel a déclaré avoir amélioré cette taille de cache d'environ 11% par rapport aux modèles 660P et 660P précédents. Un SSD 670P de 2 To vide aurait, par exemple, réservé 280 Go en tant que cache. 24 Go environ sont considérés comme de la mémoire cache statique qui restera constante quelle que soit la capacité utilisée sur le SSD, et 256 Go seront réservés pour la mémoire cache dynamique.  

Une gestion fine de la mémoire cache est devenue nécessaire sur les SSD NAND flash QLC. (Crédit Intel)

En fin de compte, les consommateurs devraient bénéficier de performances plus élevées que ce qui est habituellement proposé dans cette famille de SSD relativement bon marché. Intel a déclaré qu'il vendrait trois capacités au premier trimestre de l'année prochaine : 512 Go, 1 To et 2 To. Aucun prix n'a été annoncé, mais ces SSD arrivent sur un marché où l’offre est déjà très fournie avec des acteurs comme Samsung, Western Digital, Sabrent ou encore Crucial/Micron. 

La vision du stockage d'Intel combine NAND flash et Optane. (Crédit Intel)

Un module Optane Memory H20 

L'autre nouveauté chez Intel en matière de SSD grand public est l’arrivée du lecteur Optane Memory H20 au format M.2. Comme son prédécesseur le H10, l'Optane Memory H20 sera construit en utilisant jusqu'à 1 To de QLC NAND et 32 Go de mémoire Optane/3DxPoint. La mémoire persistante Optane offre une latence plus faible que la mémoire NAND traditionnelle, mais ne peut pas égaler sa densité ou son tarif au Go. En utilisant la mémoire 3D XPoint comme stockage super rapide à plusieurs niveaux, les lecteurs Optane peuvent faire d'énormes progrès dans des tâches aussi banales que l'ouverture et le lancement d'applications et de jeux. Avec l'Optane Memory H20, Intel a déclaré avoir mis à jour la technologie 3D XPoint et être aussi passé au QLC NAND flash 144 couches plus. 

Performances de haut niveau pour les SSD Optane P5800X développés pour équiper les serveurs. (Crédit Intel)

Contrairement aux SSD flash classiques qui sont considérés comme une seule unité de stockage par le système, les modules Optane Memory sont composés de deux entités physiques. Mais, ils sont toujours considérés comme un seul SSD par le système une fois que l'application Rapide Strorage Technology d'Intel et le BIOS qui le supporte sont configurés pour les gérer. Il est nécessaire d’activer cette option dans le bios d’une carte mère compatible et d’installer l’application RST d’Intel sur le PC. L'Optane Memory H20 d'Intel nécessitera un processeur de 11e génération de la série "U" et un chipset de la série 500 pour être utilisé. Ces exigences indiquent que la carte Optane Memory sera principalement utilisée dans les ordinateurs portables. Ce lecteur n'arrivera pas avant le deuxième trimestre 2021. Intel n'a en fait pas divulgué le prix ni les performances. 

Le 670P, bien sûr, utilisera le NAND produit par la Fab 68 d'Intel en Chine, que la société est en train de vendre à SK Hynix. L'Optane Memory H20 l'utilisera aussi, ainsi que la mémoire produite dans le cadre du partenariat conjoint Micron/Intel. Malgré la vente imminente, Intel continuera probablement à vendre des SSD.  

Le SSD pour datacenter le plus rapide du monde 

Dans un domaine différent de celui des PC grand public, Intel a également montré ce qu'il prétend être non seulement le SSD Optane le plus rapide du monde, mais aussi l'unité de stockage la plus rapide : le P5800X. Ce SSD doté d'une interface NVMe avec support du PCie 4.0, affiche une vitesse de lecture séquentielle de 7,2 Go/s et une vitesse d'écriture séquentielle de 6,2 Go. Les IOPS aléatoires 4K en lecture et écriture sont évalués à 1,5 million et jusqu'à 1,8 million d'IOPS sur des IOP aléatoires mixtes 70/30. “C'est le SSD de centre de données le plus rapide au monde", a déclaré David Tuhy d'Intel. "C'est un produit étonnant, nous en sommes très fiers. Nous pensons que ça change la donne." 

Seulement 400 Go pour le SSD Optane P5800XT, mais une vitesse adaptée aux besoins des datacenters. (Crédit Intel)

 Il serait injuste de le comparer à des SSD basés sur la technologie NAND. Intel a donc déclaré l'avoir comparé au précédent Optane P4800X, et il affirme que le P5800X est trois fois plus rapide pour la lecture aléatoire mixte et offre trois fois plus de bande passante séquentielle. C'est l'énorme avantage IOPS qu'Optane a eu par rapport aux SSD NAND traditionnels, qui continue de porter ses fruits, a déclaré Intel. Un exemple révélateur mis en avant par des informaticiens est l'utilisation de SSD Optane pour tamponner les performances des réseaux à haut débit sur les réseaux optiques 100 GbE. Le fournisseur de Santa Clara a indiqué que trois SSD Optane P5800X de 400 Go étaient capables d'assurer la mise en mémoire tampon du réseau afin de limiter une saturation du débit. Il aurait fallu utiliser sept de ses SSD D7-5600 de 3,2 To pour arriver au même résultat.