Des chercheurs du Laboratoire d'électronique et structures à l'échelle nanométrique de l'EPFL (LANES) ont mis au point une mémoire flash en molybdénite. Ces scientifiques de l'institution vaudoise ont recouru à une solution originale pour sa réalisation en combinant les propriétés de molybdénite avec celles du graphène. Andras Kis auteur de l'étude et directeur du LANES, explique que les limites physiques du silicium utilisé dans les actuels transistors et puces électroniques pourraient être dépassées grâce à la combinaison des deux matériaux: «Le mariage de ces deux matériaux permet d'envisager d'importantes avancées en matière de miniaturisation, et également l'utilisation de ces transistors pour la fabrication d'appareils nanoélectroniques flexibles.» Le potentiel en matière d'efficacité de stockage serait notamment grâce à la minceur de la molybdénite et donc à sa plus grande sensibilité aux charges.

Un sandwich comme modèle Le prototype de transistor du LANES a été conçu selon la géométrie « à effet de champ », un peu sur le modèle d'un sandwich,  indique le communiqué qui présente les trois couches: «Au milieu, à la place du traditionnel silicium, une fine couche de MoS2 canalise les électrons. Au-dessous, les électrodes, qui amènent l'électricité vers cette couche de MoS2, sont en graphène. En-dessus, les chercheurs ont également intégré un élément composé de plusieurs couches de graphène, qui capture les charges d'électricité et sert ainsi à stocker de la mémoire.»

L'équipe de chercheurs travaille déjà depuis deux ans sur les propriétés électroniques de la molybdénite qui est minéral abondant à l'état naturel. Les résultats de leur recherche viennent de paraître dans la revue ACS Nano, indique le communiqué.