« Cette nouvelle technologie processeur à transistors Tri-Gate remplacera les transistors plats à deux dimensions par une structure 3D, » a déclaré Mark Bohr, Senior Fellow d'Intel. Le transistor MOS (Metal Oxyde Semiconductor) planar classique à deux dimensions est remplacé par un mince aileron en trois dimensions qui sort verticalement du substrat de silicium. Autrement dit la zone active ne se trouve plus sous la grille, mais insérée dans la grille. « La technologie Intel permettra de créer des transistors plus rapides, plus petits et plus économes en énergie, » a ajouté Mark Bohr.

Cette technologie pourra bénéficier à différentes lignes de produits d'Intel, depuis les serveurs les plus rapides jusqu'aux puces basse énergie que l'on trouve dans les smartphones. « Nous devons continuellement innover pour créer de nouveaux matériels et de nouvelles structures», a déclaré à San Francisco Mark Bohr lors d'une conférence de presse diffusée sur Internet. « Avec le 22 nm nous apportons une nouvelle structure. »

Des puces plus rapides à terme

Les puces à transistors Tri-Gate seront 37 % plus rapides que les processeurs actuels d'Intel fabriqués selon le processus à 32 nm. Les transistors 3D consomment également deux fois moins d'énergie que les transistors 2D intégrés aux processeurs 32 nm. « Is seront également moins chers à produire, » a déclaré le chargé de recherche d'Intel. Comme l'a annoncé Dadi Perlmutter, vice-président exécutif et directeur général de l'Intel Architecture Group, les prochains processeurs Atom basse énergie, dédiés aux tablettes, aux netbooks, aux smartphones et aux terminaux numériques, bénéficieront de cette technologie. Les puces à transistors 3D seront « puissantes » en terme de performance et « économes » sur le plan de la consommation d'énergie, a ajouté le vice-président. « Le nouveau design pourrait aider Intel à rattraper les fondeurs concurrents qui fabriquent des processeurs à base de chip ARM, » a encore déclaré Dadi Perlmutter.