Dans un article publié dans le journal «Nanotchnology » des chercheurs d'HP déclarent avoir découvert les interactions qui se déroulent  à l'intérieur d'une memristor lors d'une impulsion électrique. Stan Williams, chercheur chez HP a déclaré « alors que nous sommes dans une optique de commercialisation de la technologie, cette découverte devrait améliorer considérablement ses performances ».

Les memristors comprennent une résistance avec de la mémoire et sont considérées comme le quatrième composant électrique passif (après le condensateur, la bobine et la résistance), selon les travaux du professeur Leon Chua, de l'Université de Californie à Berkeley en 1971. Les laboratoires d'HP ont démontré que ces « mémoires-résistances » pouvaient effectuer des calculs logiques. Avec cette capacité, les memristors peuvent travailler comme un processeur et un espace de stockage.

Memristor

Memristor grossie au microscope électronique

Des rayons X pour dévoiler le dessous des memristors

Les scientifiques se doutaient qu'un processus de commutation avait lieu mais il était très difficile à étudier car memristors sont très petites. HP a utilisé les rayons X pour identifier un canal de seulement 100 nanomètres de large, là où le processus de commutation se déroule. Un nanomètre représente environ un millionième de centimètre. Les chercheurs ont ensuite analysé la composition chimique et la structure de ce canal. Ils ont ainsi acquis une meilleure idée sur le fonctionnent des memristors. Le document a été publié conjointement par HP et l'Université de Santa Barbara.

Le type de mémoire qui peut être construit avec memristors est appelé ReRAM. Elle est non volatile, ce qui signifie qu'elle peut conserver les données lorsqu'elle n'est pas alimentée électriquement. Ce qui n'est pas le cas pour la DRAM. Stan Williams estime que la technologie memristor HP pourrait être disponible dans le commerce d'ici mi 2013. Le constructeur s'est d'ailleurs allié avec Hynix pour développer et fabriquer ces produits. HP dispose déjà d'échantillons dans ses laboratoires qui embarquent des capacités de stockage de 12 Go par centimètre carré.  Le chercheur a déclaré que la gravure serait réalisée en 15 nanomètres avec une architecture multi-niveaux, où quatre couches de mémoires seront empilées.

Illustration : Memristor

Crédit Photo: HP