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(22/12/2006 17:28:21)

Entente sur le prix des DRAM : un dirigeant de Samsung en prison

Le président de la branche américaine de Samsung va passer dix mois en prison et payer une amende de 250 000$ pour le rôle qu'il a joué dans la vaste entente illicite orchestrée par les fabricants de DRAM. Young Hwan Park a plaidé coupable devant un tribunal californien et a ainsi reconnu avoir violé la législation antitrust. L'ancien vice-président des ventes devient le cinquième responsable de Samsung à visiter les geôles d'outre-Atlantique depuis que le ministère de la Justice a ouvert son enquête sur les pratiques de fixation des prix des mémoires vives La procédure a été initiée en décembre 2003 par le DoJ (Department of Justice). En trois ans, quatre fabricants et 18 personnes ont été poursuivis. Les personnes "qui choisissent de s'engager [dans ce genre de pratique] savent quelles peuvent en être les conséquences - amendes et emprisonnement", résume Thomas Barnett, un membre de la division antitrust au DoJ. Young Hwan Park s'était entendu avec d'autres fabricants sur le prix des DRAM vendues aux OEM entre avril 2001 et juin 2002. Dell, HP, Apple et Gateway sont, selon le DoJ, les constructeurs qui auraient pâti de la vile entente. En novembre 2005, Samsung a été condamné pour ces agissements à 300 M$ d'amende. Hynix Semiconductor, le numéro deux mondial des mémoires DRAM, a dû quant à lui débourser 185 M$ en mai 2005. En janvier 2006, c'était au tour du Japonais Elpida Memory de se voir condamné (84 M$). Deux ans plus tôt, en octobre 2004, l'Allemand Infineon payait 160 M$ pour les mêmes raisons. (...)

(14/12/2006 18:09:55)

AMD et IBM préparent le passage à la gravure en 45 nm

AMD et IBM viennent de lever partiellement le voile sur la manière dont ils entendent procéder à la gravure de processeurs en 45 nm. Les deux partenaires prévoient notamment d'utiliser un liquide plutôt que de l'air entre la lentille de projection du système de gravure et le support de silicium. AMD et IBM estiment pouvoir ainsi réduire la longueur d'onde du faisceau lumineux utilisé pour la gravure et obtenir un gain de résolution du procédé de l'ordre de 40 %. AMD prévoit en outre d'améliorer la déformation des transistors et d'utiliser des interconnexions à très basse constante diélectrique afin de réduire les interférences capacitives. Reste qu'AMD ne devrait pas produire de processeurs gravés en 45 nm avant le second semestre 2008. Intel, quant à lui, a déjà présenté son premier prototype de processeur gravé avec cette finesse. IBM, de son côté, attendra le second semestre 2007 pour graver ses premiers processeurs pour serveurs en 65 nm et n'a pas indiqué de calendrier pour le passage à 45 nm. IBM et AMD collaborent à la gravure de processeurs depuis 2003. Ils ont récemment prorogé leur partenariat jusqu'en 2011, prévoyant de développer ensemble des procédés de gravure en 32 et 22 nm. (...)

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