IBM et Infineon, filiale semiconducteurs de Siemens, s'associent pour développer et produire, à l'horizon 2004, des mémoires MRAM (Magnetic Random Access Memory). Basée sur le stockage magnétique - et non électronique - des données, la MRAM apparaît comme plus rapide et moins volatile que les technologies RAM utilisées actuellement. Elle devrait cumuler les qualités de vitesse de la SRAM http://www.weblmi.com/news/1999/990605%2D9.htm (Static RAM), les capacités de stockage et le coût réduit de la DRAM (Dynamic RAM) et la non volatilité (perte de données en cas de coupure de courant) de la mémoire flash.