Intel a achevé la mise au point de son procédé de photolithogravure de composants en 0,13 micron. La mise en ouvre de cette technologie débutera l'an prochain et marquera pour le fondeur le passage de l'aluminium au cuivre. Intel appliquera son procédé sur des galettes de silicium (wafers) de 200 mm de diamètre, puis de 300 mm en 2002.
Intel affirme que la taille des portes logiques (contrôlant les flux d'électrons) a été portée à 0,07 micron, contre 0,13 micron actuellement avec le procédé de gravure en 0,18 micron. La tension des composants produits sera de 1,3 volt, contre 1,5 volt aujourd'hui.