Dans un communiqué, le fondeur taïwanais TSMC vient d'indiquer que sa technique de lithographie par immersion est presque prête à entrer en production : ce procédé « a produit des disques semi-conducteurs avec des paramètres acceptables pour une production en volume » avec « des taux de défauts inférieurs à trois par disque ». La lithographie par immersion doit permettre d'obtenir une meilleure résolution que les techniques classiques de gravure de semi-conducteurs. Mais cette méthode présente des difficultés liées aux imperfections potentielles du milieu comme les bulles, par exemple. Le procédé de lithographie par immersion mise au point par TSMC doit être utilisé pour graver des puces en 45 nm.